砷化鎵缺點、砷化鎵三雄、砷化鎵市場在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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吳志毅也指出，目前第二代半導體材料以砷化鎵為主，因為技術上相對純熟，還能製作高頻的元件，但缺點是不耐高電壓。來源： ...

隨著5G、電動車時代來臨，科技產品對於高頻、高速運算、高速充電的需求上升，矽與砷化鎵的溫度、頻率、功率已達極限，難以提升電量和速度；一旦操作溫度 ...

砷化鎵晶片的材料本質較脆而容易破裂，增加了製程操作上的難度，這些缺點也限制了砷化鎵的應用廣度。砷化鎵晶體成長方法與傳統使用在矽晶的柴式拉晶法( ...

而兩者都必須使用氮化鎵（GaN）或砷化鎵晶圓（GaAs）進行製造， ... 品質及效能都較好，但缺點仍是成本高及材料難以取得，目前約60% 以上的碳化矽技術 ...

GaAs 化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域，現在越來越多被應用於射頻前端元件，這是因為GaAs化合物半導體電子移動率比傳統的矽快，且具有抗干擾、低雜 ...

砷化鎵最大頻率範圍2-300GHz，極具遠程通訊需求矽1GHz以下砷化鎵最大操作溫度攝氏200 ... 製程：GaAs屬化合物半導體，在化物半導體元件製作上，主要的磊晶長成方式由 ...

現今以矽為基材而製成的RFCMOS雖可達到高操作頻率及高整合度，但其先天物理上缺點如崩潰電壓較低、基板於高頻環境易損耗、訊號隔離度不佳、低輸出功率密度等，使其在功率 ...

像是「矽」的導通電阻過大，易造成電能損耗，在電子裡跑得不夠快、不能做高頻，又不耐高電壓，不適合做高功率元件。面對這種種缺點，製作端便需要不斷開發新的材料來尋找 ...

砷化鎵晶圓代工大廠宏捷科谷底翻身，2021年6月營收再創近六年單月新高， ... 砷化鎵所有優點的5倍，卻沒有它所有缺點的5倍」，黃國鈞讚譽「氮化鎵，是 ...

... 氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等化合物為材料的半導體產品，有別於第一代半導體是以矽（Si）、鍺（Ge）為材料，還有第二代以砷化鎵（GaAs）、磷化 ...