碳化矽長晶製程、半導體晶片、半導體材料在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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目前SiC長晶成本約佔總元件38%，主流的製作方式有高溫化學氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition，HTCVD)、液相法(Solution Growth)和 ...

目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即 ...

長成晶柱的碳化矽晶錠，首先會切割成晶片，經過機械研磨、化學侵蝕，將表面磨得光滑如一面鏡子，最後成為積體電路（IC）基板。目前主流的碳化矽基板為6吋 ...

因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局，以及檢視產學研界於長晶、切割、研磨、拋光技術發展，為國內欲投入SiC晶圓生產設備的廠商提供技術趨勢與建議。【內容 ...

國立中山大學晶體研究中心創全國大專校院之先，目前正自行研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的 ...

正因為碳化矽具有許多優良的材料特性，因此國外從20幾年前便開始對單晶碳化矽的長晶技術及元件製程進行開發。國外的碳化矽產業供應鏈從最上游端的單晶材料到元件製程與 ...

中國積極布局第三代半導體碳化矽（SiC）基板，晶盛機電日前在官網宣布，12日首顆8吋N型碳化矽晶體出爐，晶坯厚度25mm，直徑214mm，並破解碳化矽元件成本中 ...

本文將以廢棄矽晶切削邊角料作為原料，透過純化回收製程後，再製成碳化矽原料 ... 碳化矽長晶主要有三種方法：物理氣相傳輸法(PVT)、高溫化學氣體沉積 ...

國內碳化矽材料的發展，關鍵段即為長晶製造，也連帶可供應的基板不足，要在長晶有所突破，即要從長晶爐開始著手。環球晶董事長徐秀蘭即表示，化合物 ...

產業人士分析，碳化矽基板製造關鍵難度在於長晶，高硬度、高脆性、低斷裂韌性的碳化矽晶圓，製造技術門檻高，包括對氣流、高溫製程等控制，其中長晶爐是攸 ...