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MOS 管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。以下图的NMOS管为例。

mos电容显出较强的电压控制特性，图显示的是nmos作为电容世道容值曲线图，当gate相对于衬底为负电压的时候，多子被吸引到上面（氧化层下）形成积累 ...

有記對的話，將mos的s、b、d這三腳接一起當電容的一端，6 D, G5 W7 g* z6 \! R' ` 而電容的另一端則用g腳。7 y/ u) @% O% w$ a4 F1 @9 Z

什麼是MOS電容器？ · 要構建一個MOS電容器，最需要和最主要的是柵極溝道襯底結構。 · 這種特殊的電容器類型有兩個端子，主要是半導體器件；它由金屬觸點和介電絕緣體製成。

MOS电容主要的优势就是节省面积、方便；缺点则是，MOS电容其实是个“压控电容”，当上下两个极板的压差发生变化，容值也会跟着改变，这在要求高精度的电路中 ...

MOS 管電容的工作原理 · 我們從Gate的工作電壓，討論NMOS管形成的電容。 · 當Gate的電壓是一個負值時，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時候的NMOS管 ...

當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分佈也會跟著改變。 ... 如前所述，金氧半場效電晶體的核心是位於中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與汲極。

・MOSFET有寄生電容存在，寄生電容是影響切換特性的重要參數。・寄生電容對溫度幾乎不會產生變化，因此切換特性幾乎不受溫度變化的影響。

MOSFET 結構的核心是金屬-氧化物-半導體電容，即MOS電容。MOS電容自身並不是一種廣泛應用的器件，但是卻是整個MOS電晶體的核心單元。MOS中的金屬最初是 ...

功率MOSFET的輸出電容Coss實際上是漏極D和源極S的PN結的電容，漏極D和源極S加上電壓VDS，PN結的耗盡層加寬，耗盡層、也就是空間電荷區內部的電荷數量增加 ...