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金氧半電容（金屬氧化物半導體電容或Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor 或MOSC）是一種常見的兩端控制的半導體元件，在1960年代已在實驗室被實做出來。金氧半電容 ...

要構建一個MOS電容器，最需要和最主要的是柵極溝道襯底結構。這種特殊的電容器類型有兩個端子，主要是半導體器件；它由金屬觸點和介電絕緣體製成。

MOSFET 在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶矽取代金屬作為其閘極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽， ...

MOSFET結構的核心是金屬-氧化物-半導體電容，即MOS電容。MOS電容自身並不是一種廣泛應用的器件，但是卻是整個MOS電晶體的核心單元。MOS中的金屬最初是 ...

半導體元件物理/劉傳璽教授. 這個資源應顯示在彈出視窗如果未生效，請點選這裡：二、MOS電容器的結構與特性(二). 您現在是使用訪客身分登入(登入).

MOS电容器工作原理：电荷的收集,MOS电容器是所有MOS(金属-氧化物-半导体)结构中最简单的，它是CCD的构成基础;弄清楚这种结构的原理对理解CCD的工作 ...

表中的Ciss、Coss、Crss三項參數與這些寄生電容﹙parasitic capacitance﹚有關，一般常見於MOSFET數據表中，且在靜態特性和動態特性分開記載的數據表 ...

本发明公开了一种MOS电容的制造方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括以下步骤：在硅晶圆片的上表面形成氧化层；在氧化层的上表形成金属引出电极的 ...

MOS 管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的栅氧作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。以下图的NMOS管为例。

芯片内部的电容一般使用金属当作上下基板，但是这种金属电容缺点是消耗面积太大。为了作为替代，在一些对电容要求不是很高的电路中，有人就想到了MOS ...